采用SiC碳化硅MOSFET技術的固態(tài)斷路器取代機械斷路器！   國產基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET在固態(tài)斷路器SSCB的應用-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷   適用于固態(tài)斷路器SSCB的國產基本™（BASiC Semiconductor）第二代碳化硅MOSFET-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷   直流配電應用中用于固態(tài)斷路器的基本™（BASiC Semiconductor）國產第二代SiC碳化硅MOSFET-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷   傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應用中全面取代IGBT，全力推動基本公司國產碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!   IGBT芯片技術不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現(xiàn)半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持更高結溫低于更大規(guī)定值。   為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使更終用戶獲得經濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為各類型電力電子應用的主流趨勢。   傾佳電子（Changer Tech）致力于國產碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！ Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!   對于通用應用，SiC 功率器件可以替代 Si IGBT，從而將開關損耗降低高達 70% 至 80%，具體取決于轉換器和電壓和電流水平。IGBT 相關的較高損耗可能成為一個重要的考慮因素。熱管理會增加使用 IGBT 的成本，而其較慢的開關速度會增加電容器和電感器等無源元件的成本。從整體系統(tǒng)成本來看SiC MOSFET加速替代IGBT已經成為各類新的電力電子設計中的主流趨勢。SiC MOSFET 更耐熱失控。碳化硅導熱性更強，可實現(xiàn)更好的設備級散熱和穩(wěn)定的工作溫度。   Si IGBT 的一個顯著缺點是它們極易受到熱失控的影響。當器件溫度不受控制地升高時，就會發(fā)生熱失控，導致器件發(fā)生故障并更終失效。在高電流、高電壓和高工作條件很常見的電機驅動應用中，例如電動汽車或制造業(yè)，熱失控可能是一個重大的設計風險。SiC MOSFET 更適合溫度較高的環(huán)境條件空間，例如汽車和工業(yè)應用。此外，鑒于其導熱性，SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻系統(tǒng)的需求，從而有可能減小整體系統(tǒng)尺寸并降低系統(tǒng)成本。由于 SiC MOSFET 的工作開關頻率比 Si IGBT 高得多，因此它們非常適合需要精確電機控制的應用。高開關頻率在自動化制造中至關重要，其中高精度伺服電機用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。   SiC 功率器件的卓越材料特性使這些器件能夠以更快的開關速度、更低的開關損耗和更薄的有源區(qū)運行，從而實現(xiàn)效率更高、開關頻率更高、更節(jié)省空間的設計。因此，SiC MOSFET 正成為電源轉換應用中優(yōu)于傳統(tǒng)硅（IGBT,MOSFET）的*。   輸電和配電系統(tǒng)以及敏感設備需要針對長期過載和瞬態(tài)短路情況提供保護。隨著電氣系統(tǒng)和電動汽車使用越來越高的電壓，潛在故障電流比以往任何時候都高。針對這些大電流故障的保護需要超快的交流和直流斷路器。雖然機械斷路器歷來是該應用受歡迎的選擇，但日益嚴格的操作要求使得 固態(tài)斷路器SSCB 更受歡迎。與機械方法相比，它們有幾個優(yōu)點：   堅固性和可靠性：機械斷路器包含運動部件，這使得它們很脆弱。這意味著它們很容易因運動而損壞或意外絆倒，并且在其使用壽命期間每次重置時都會受到磨損。相比之下，由于 固態(tài)斷路器SSCB 不包含移動部件，因此更加堅固，并且不太可能遭受意外損壞，從而能夠重復使用數(shù)千次。 溫度靈活性：機械斷路器的工作溫度取決于其構造中使用的材料并限制工作溫度。固態(tài)斷路器SSCB 的工作溫度高于機械斷路器，且可設定。 遠程配置：一旦跳閘，人們必須手動重置機械斷路器，這既耗時又昂貴，特別是在跨多個安裝時，而且還可能產生b2b平臺隱患。固態(tài)斷路器SSCB 可以使用有線或無線連接遠程重置。 更快的切換且無電弧：當機械斷路器切換時，可能會發(fā)生電弧和電壓波動，足以損壞負載設備。在 固態(tài)斷路器SSCB 中使用軟啟動方法可以防止這些感應電壓尖峰和電容浪涌電流的影響，如果發(fā)生故障，開關速度要快得多，大約幾微秒。 靈活的額定電流：機械斷路器具有固定的額定電流，而 固態(tài)斷路器SSCB 的額定電流是可編程的。減小尺寸和成本：與機械斷路器相比，固態(tài)斷路器SSCB 減輕了重量，顯著減輕重量并占用更少的空間。   快速反應時間是直流系統(tǒng)的一項重要要求，這使得 固態(tài)斷路器SSCB 成為理想的選擇。結合 基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET 技術的優(yōu)勢，可以進一步提高 SSCB 響應時間及其效率（低傳導損耗），同時還可能提高其功率密度（低冷卻要求）。 全固態(tài)斷路器是指完全由功率半導體器件代替機械開關的斷路器，全固態(tài)斷路器又可分為半控型全固態(tài)斷路器和全控型固態(tài)斷路器，全固態(tài)斷路器通常包括固態(tài)開關電路、緩沖電路、檢測單元以及控制單元等部分。與硅功率半導體器件相比，SiC MOSFET碳化硅功率半導體器件具有較低的通態(tài)電阻，可以減少直流固態(tài)斷路器的通態(tài)損耗，減輕冷卻壓力。 相比其他類型斷路器，固態(tài)斷路器雖然切斷速度快，但是其成本較高高，價格昂貴，同時其同步控制以及電壓、電流均衡化問題也很突出，基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET在可靠性提高、成本降低、速度提高、復雜性降低等為客戶提供價值，固態(tài)斷路器未來將向智能化和數(shù)字化的方向發(fā)展，如何降低成本、提高可靠性以及降低損耗等問題仍然是研的重點。 采用基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET冷卻性好、低成本、低損耗、穩(wěn)定性高的優(yōu)勢。   機械斷路器具有較低的功率損耗和較高的功率密度，目前比固態(tài)斷路器SSCB 便宜。盡管如此，它們仍然容易因重復使用而磨損，并且需要與重置或更換相關的昂貴的手動維護。隨著電動汽車采用率的不斷提高，對斷路器和SiC碳化硅MOSFET器件的需求將繼續(xù)增長，從而使SiC碳化硅MOSFET的成本競爭力日益增強，并增加SiC碳化硅MOSFET在 SSCB 解決方案中使用的吸引力。隨著SiC碳化硅MOSFET工藝技術的進步，SiC碳化硅MOSFET的導通電阻進一步下降，達到與機械斷路器相當?shù)乃?，功率損耗將變得不再是問題。由基于SiC碳化硅MOSFET的器件構建的 SSCB 具有快速開關、無電弧以及通過零維護顯著節(jié)省成本等優(yōu)點，將會加速替代升級現(xiàn)有的機械斷路器。   傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷國產車規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET，國產車規(guī)級AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET，國產車規(guī)級PPAP碳化硅(SiC)MOSFET，基本™全碳化硅MOSFET模塊，Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊，62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊，F(xiàn)ull SiC Module，SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁，V2G充電樁，高壓柔性直流輸電智能電網(HVDC)，空調熱泵驅動，機車輔助電源，儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機，超高頻伺服驅動器，高速電機變頻器等，光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module，儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，光儲碳化硅MOSFET。專業(yè)分銷基本™SiC碳化硅MOSFET模塊及分立器件，全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展！   未來隨著設備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開關損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。 為此，BASiC™基本公司研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產品擁有更低比導通電阻、器件開關損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅動、APF/SVG、熱泵驅動、工業(yè)變頻器、逆變焊機、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應用可靠性。   為滿足光伏儲能領域高電壓、大功率的應用需求，BASiC™基本公司基于第二代SiC MOSFET技術平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關損耗、支持更高開關頻率運行等特點。 針對新能源汽車的應用需求，BASiC™基本公司研發(fā)推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應用在車載充電機及汽車空調壓縮機驅動中。 B3M040120Z是BASiC™基本公司基于第三代碳化硅MOSFET技術平臺開發(fā)的更新產品，該系列產品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相對于上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性方面有更進一步提升。 BMF240R12E2G3是BASiC™基本公司基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊，產品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。 B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基本公司基于第二代碳化硅MOSFET技術開發(fā)的頂部散熱內絕緣的塑封半橋模塊，主要應用于OBC、空調壓縮機和工業(yè)電源中。 BASiC™基本公司推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅動芯片BTD25350系列，此驅動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅動設計，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅動MOSFET、IGBT等功率器件。